美光HBM4/HBM4E内存分别采用内部和台积电工艺基础逻辑裸片 美光在 2025 财年第四财季及全财年财报电话会议上确认，该企业在 HBM4 内存堆栈底部的基础逻辑裸片（IT之家注：Base Logic Die）上采用的是内部 CMOS 工艺，而在 HBM4E 上该芯片将转由台积电代工。 美光 台积电 裸片 逻辑裸片 hbm4e内存 2025-09-24 09:04 4